周鹏，男，盐山县圣佛镇王南良人，1978年出生。1993年至1996年在盐山中学高中93-2班学习。高中毕业后，考入复旦大学，2000年7月获复旦大学理学学士，2005年获复旦大学博士学位。2006年7月，在韩国首尔国立大学访问研究，2008年受聘为副研究员。2008年至今，承担国家自然科学基金项目《基于过渡金属氧化物薄膜的新型电阻式存储的可靠开关机理及器件制备技术研究》、《碳基电路中的纳米尺度阻式存储稳定实现及物理机制》以及上海市教育委员会科技创新重点项目《高迁移率石墨烯/栅叠层制备及物理特性研究》和 国家“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”重大专项项目《石墨烯电子器件与集成技术研究》等课题。迄今发表SCI 论文70 多篇，申请专利10余项，其中已在国际主流学术期刊Applied Physics Letters, IEEE Electron Device Letters，Journal of Vacuum Science and Technology, Journal of Applied Physics及Optics Express等发表第一作者及通信作者论文30余篇。2007年发表在Applied Physics Letters的基于完全化学比氧化锆的国内第一篇电阻存储器方面研究已被他人SCI引用77次，谷歌学术引用97次，属于该领域国内至2012年10月最多被引用的文章。
研究方向
集成电路工艺和新型二维半导体功能器件。具体包括原始创新石墨烯上原子层沉积技术应用，下一代非挥发存储器工作机制与大规模制造工艺，碳基电路存储器与晶体管集成技术以及MoS2，BN，NbSe2等其他二维晶体应用研究等。为中芯国际、华虹、士兰等重要集成电路制造企业研发部门提供技术咨询。
代表性论文：
著作：
Zhou Peng, Chen Lin，Lv Hangbing，Wan Haijun，Sun Qingqing,
Chapter‘Nonvolatile Memory Device: Resistive Random Access Memory’in Book‘Nano-Semiconductors Device and Technology’，Taylor & Francis Group，ISBN：
978-1-4398-4835-7，2011.